碳化硅电学分析

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.电阻特性分析：体电阻率，方块电阻，接触电阻，导通电阻

2.载流子参数分析：载流子浓度，迁移率，载流子类型，霍尔系数

3.电流电压特性分析：正向电流，反向漏电流，击穿电压，非线性导电特性

4.电容特性分析：结电容，界面电容，频率响应电容，电容电压关系

5.介电性能分析：介电常数，介质损耗，极化响应，绝缘电阻

6.击穿与耐压分析：耐压强度，电场击穿特性，漏电稳定性，绝缘失效行为

7.界面电学分析：界面态密度，固定电荷，陷阱电荷，界面电荷分布

8.温度电学响应分析：电阻温度系数，高温导电性，热激发载流特性，温变漏电流

9.掺杂特性分析：掺杂浓度，掺杂均匀性，补偿效应，电活性分布

10.绝缘层电学分析：绝缘层漏电流，电荷俘获，介质击穿，电学稳定性

11.表面电学分析：表面电阻，表面电位，表面漏电流，表面态响应

12.器件静态参数分析：阈值电压，跨导，开关比，导通关断特性

检测范围

碳化硅单晶衬底、碳化硅外延片、碳化硅晶圆、碳化硅裸片、碳化硅功率器件、碳化硅二极管、碳化硅场效应器件、碳化硅模块芯片、碳化硅肖特基器件、碳化硅结型器件、碳化硅绝缘结构样品、碳化硅薄膜、碳化硅陶瓷基片、碳化硅导电样品、碳化硅半绝缘样品

检测设备

1.参数分析仪：用于测定电流电压特性、电压扫描响应及器件静态电学参数。

2.霍尔效应测试系统：用于测定载流子浓度、迁移率及载流子类型等关键电学参数。

3.探针测试台：用于晶圆及小尺寸样品的电学接触测试，适用于多点参数测量。

4.高阻计：用于测量高电阻、绝缘电阻及低漏电流相关电学性能。

5.精密阻抗分析仪：用于测定电容、阻抗、介质响应及频率相关电学特性。

6.电容电压测试装置：用于分析结电容变化、掺杂分布及界面电学行为。

7.耐压测试装置：用于开展耐压能力、击穿行为及绝缘稳定性测试。

8.低漏电流测试装置：用于测量微弱漏电流信号，评估器件反向电学特性与绝缘水平。

9.温控测试系统：用于在不同温度条件下开展电阻、电流及载流特性分析。

10.表面电位测试装置：用于分析样品表面电位分布、表面电荷状态及表面电学均匀性。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质